| 在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究 |
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| 引用本文： | 吴正龙,姚振钰.在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),1998,34(4):492-495. |
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| 作者姓名： | 吴正龙 姚振钰 |
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| 作者单位： | [1]北京师范大学分析测试中心 [2]中国科学院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 利用质量分离低能离子束外延法，在Ｓｉ（１１１）上生长出了硅化钴薄膜，表面微结构及表面组分，化学价态的分析测试表明，此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜。通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果，对这一薄膜生长的机理进行了探讨分析。
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| 关 键 词： | 硅化钴 薄膜 XPS RDE 外延生长 硅 SEM |
SEM AND XPS STUDIES ON EPITAXIAL GROWTH OF CoSi_2 FILM ON Si(111) |
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| Wu Zhenglong,Yao Zhenyu, Zhang Jianhui Liu Zhikai, Qin Fuguang.SEM AND XPS STUDIES ON EPITAXIAL GROWTH OF CoSi_2 FILM ON Si(111)[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1998,34(4):492-495. |
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| Authors: | Wu Zhenglong Yao Zhenyu Zhang Jianhui Liu Zhikai Qin Fuguang |
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| Abstract: | Cobalt disilicide Films are grown on silicon (111) by mass analyzed low energy ion beam epitaxy. XPS and SEM measurements show that single optal cobalt disilicide (CoSi2) filn without needle-hole could be obtained. On the basis of comparision of the results between the post-annealed and non-annealed samples, the growth mechanism of cobalt disilicide film is discussed. |
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| Keywords: | ion beam reaction deposition CoSi2 film X-ray photoelectron spectroscopy |
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