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由高斯型波函数计算GaAs量子点中电子-空穴与声学声子的耦合特性
引用本文:张明亮.由高斯型波函数计算GaAs量子点中电子-空穴与声学声子的耦合特性[J].科学技术与工程,2014,14(5):178-182.
作者姓名:张明亮
作者单位:暨南大学电子工程系
摘    要:在固态—空腔量子电动力学系统中,研究半导体量子点跟固体环境中声学声子耦合时,通常忽略压电耦合,仅考虑形变势耦合。针对GaAs量子点的不同尺寸(12 nm或24 nm),由高斯型波函数出发并考虑电子和空穴局域化长度差别(δl=l e-l h),计算并给出量子点跟声学声子两种耦合机制对应的声子谱函数,以及声子辅助量子点耦合空腔的散射率。结果发现δl/l e取值变化(0.1或0.2)时,对于小尺寸量子点,压电耦合跟形变势耦合相比都可以忽略;对于大尺寸量子点中,δl/l e取0.2时压电耦合跟形变势耦合相比就变得不能忽略。

关 键 词:量子点  声学声子  压电耦合  形变势耦合
收稿时间:2013/9/22 0:00:00
修稿时间:2013/9/22 0:00:00

On the computation of coupling characteristics between electron-hole and acoustic phonons in GaAs quantum dots based on Gaussian wavefunctions
ZHANG Ming-Liang.On the computation of coupling characteristics between electron-hole and acoustic phonons in GaAs quantum dots based on Gaussian wavefunctions[J].Science Technology and Engineering,2014,14(5):178-182.
Authors:ZHANG Ming-Liang
Abstract:
Keywords:quantum dots  acoustic phonons  deformation potential coupling  piezoelectric coupling
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