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HClO_4和NH_4ClO_4对钒和铬的干扰及其机理——石墨炉原子化器中原子化过程的研究(Ⅷ)
引用本文:郑衍生,向阳,周采菊.HClO_4和NH_4ClO_4对钒和铬的干扰及其机理——石墨炉原子化器中原子化过程的研究(Ⅷ)[J].吉林大学学报(理学版),1991(1).
作者姓名:郑衍生  向阳  周采菊
作者单位:吉林大学化学系 (郑衍生,向阳),吉林大学化学系(周采菊)
摘    要:研究了HClO_4对V和Cr吸收信号的干忧。实验结果表明,HClO_4对V和Cr吸收信号有明显的抑制作用,并存在残留HClO_4的干枕,当预加热温度达1900℃和1500℃时,残留HClO_4对V和Cr的干扰可除去,在涂钨热解石墨管中HClO_4不干扰Cf吸收信号,NH_4ClO_4对V和Cr吸收信号亦有抑制作用,但不存在残留物的干扰,EDTA铵盐可消除HClO_4对V和Cr的干扰。

关 键 词:    HClO_4干扰  石墨炉中原子化过程
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