HClO_4和NH_4ClO_4对钒和铬的干扰及其机理——石墨炉原子化器中原子化过程的研究(Ⅷ) |
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引用本文: | 郑衍生,向阳,周采菊.HClO_4和NH_4ClO_4对钒和铬的干扰及其机理——石墨炉原子化器中原子化过程的研究(Ⅷ)[J].吉林大学学报(理学版),1991(1). |
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作者姓名: | 郑衍生 向阳 周采菊 |
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作者单位: | 吉林大学化学系
(郑衍生,向阳),吉林大学化学系(周采菊) |
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摘 要: | 研究了HClO_4对V和Cr吸收信号的干忧。实验结果表明,HClO_4对V和Cr吸收信号有明显的抑制作用,并存在残留HClO_4的干枕,当预加热温度达1900℃和1500℃时,残留HClO_4对V和Cr的干扰可除去,在涂钨热解石墨管中HClO_4不干扰Cf吸收信号,NH_4ClO_4对V和Cr吸收信号亦有抑制作用,但不存在残留物的干扰,EDTA铵盐可消除HClO_4对V和Cr的干扰。
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关 键 词: | 钒 铬 HClO_4干扰 石墨炉中原子化过程 |
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