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| 发现“L层”的实验 | |
| 引用本文： | 刘忠厚.发现“L层”的实验[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,1985(3). |
| 作者姓名： | 刘忠厚 |
| 摘 要： | P—N结不是P型半导体和N型半导体直接联接而成,而是用杂质的“补偿效应”,由一种型号半导体通过掺杂使其反型形成的。杂质分布是余误差函数或高斯函数分布。如图一所示。n型衬底中含磷(P),进行硼(B)扩散,生成P型,P—N结界面处杂质分布: |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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