| 14 MeV中子照相中CCD芯片的屏蔽计算 |
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| 引用本文： | 章法强,李正宏,杨建伦,应纯同,刘广均.14 MeV中子照相中CCD芯片的屏蔽计算[J].清华大学学报(自然科学版),2007,47(Z1):987-990. |
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| 作者姓名： | 章法强 李正宏 杨建伦 应纯同 刘广均 |
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| 作者单位： | 1. 中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,绵阳,621900
2. 清华大学,工程物理系,北京,100084 |
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| 基金项目： | 中国工程物理研究院"双百"人才基金 |
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| 摘 要： | 快中子照相实验中,电荷耦合装置(CCD)是重要的成像器件。快中子辐射不仅会减少CCD的使用寿命,而且会对快中子图像带来影响,因此必须对CCD芯片进行有效的屏蔽,减少快中子辐射对芯片的损伤。该文利用MCNP/4B程序计算了14MeV中子照相中不同屏蔽材料组合条件下CCD芯片的吸收剂量。计算结果表明,在对CCD进行有效的屏蔽后,芯片的吸收剂量是屏蔽前的3%,按源中子数归一后仅为1.29 aGy,已经达到屏蔽要求。计算结果还表明,环境散射中子辐射对芯片吸收剂量贡献较小,可以忽略。
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| 关 键 词： | 14MeV快中子照相 电荷耦合装置 Monte Carlo方法 |
| 文章编号： | 1000-0054(2007)S1-0987-04 |
| 修稿时间： | 2006年10月20 |
Shielding calculations for CCD chips in 14 MeV neutron radiography |
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| ZHANG Faqiang,LI Zhenghong,YANG Jianlun,YING Chuntong,LIU Guangjun.Shielding calculations for CCD chips in 14 MeV neutron radiography[J].Journal of Tsinghua University(Science and Technology),2007,47(Z1):987-990. |
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| Authors: | ZHANG Faqiang LI Zhenghong YANG Jianlun YING Chuntong LIU Guangjun |
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| Abstract: | Charge-coupled devices(CCD) are used in 14 MeV neutron radiography experiments to record light images from the scintillator.However,the fast neutron radiation seriously damages CCD chip,which not only reduces the CCD life time but also introduces noise into the fast neutron images.Therefore,effective shielding is needed to reduce the radiation damage.The neutrons transport was simulated to calculate the absorbed dose on the CCD chip using the MCNP/4B Monte Carlo code. With effective shielding,the absorbed dose on the CCD chip is only 1.29 aGy,3% of the level before shielding,which is less than the upper limit.The results also show that scattered neutrons make a modest contribution to the absorbed dose on the CCD chip. |
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| Keywords: | 14 MeV fast neutron radiography charge-coupled device(CCD) Monte Carlo method |
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