| 铜在8－羟基喹啉修饰铅笔芯电极上的伏安特性 |
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| 引用本文： | 赵凯元,韦璐. 铜在8－羟基喹啉修饰铅笔芯电极上的伏安特性[J]. 苏州科技学院学报(自然科学版), 1996, 0(4) |
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| 作者姓名： | 赵凯元 韦璐 |
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| 作者单位： | 苏州铁道师范学院化学系 |
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| 摘 要： | 本文用８－羟基喹啉修饰的铅笔芯电极研究了铜的阶梯阳极溶出伏安特性，并将此法用于人发中微量铜的测定。实验指出，在此修饰电极上，铜的阶梯溶出峰有两个，１＃峰电位在－０．０３Ｖ，２＃峰电位在０．２７Ｖ处。同样的试液和条件下，１＃峰总比２＃峰的峰电流大。实验研究了测定铜的最佳条件，并测得铜的浓度在４．０×１０－８～１．６×１０－６ｍｏｌ·Ｌ－１范围内，１＃峰的峰高与浓度呈良好的线性关系，最低检测限为２×１０－８ｍｏｌ·Ｌ－１。２＃峰高与铜的浓度在６．０×１０－８～１．６×１０－６ｍｏｌ·Ｌ－１范围内也有较好的线性关系，也可用于测定铜。本文还分析了铜在修饰电极上的反应机理
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| 关 键 词： | 化学修饰电极，阳极溶出伏安法，铜 |
The Voltammetric Characteristic of Copper on the Pen-Core Electrode Modified by 8 Hydrosyquinoline |
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| Zhao KaiyuanWei Lou. The Voltammetric Characteristic of Copper on the Pen-Core Electrode Modified by 8 Hydrosyquinoline[J]. Journal of University of Science and Technology of Suzhou, 1996, 0(4) |
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| Authors: | Zhao KaiyuanWei Lou |
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| Keywords: | chemical modified electrode anodic stripping voltammetry copper |
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