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| 低电压超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计 | |
| 作者单位： | ;1.厦门理工学院光电与通信工程学院;2.中国科学院微电子研究所 |
| 摘 要： | 基于台积电TSMC 0.35μm 3.3V标准半导体工艺,完成一款低电压、超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计与流片.首先,基于目标工艺设计一套2.0V低电压标准单元库,完成电路结构设计、特征化提取和版图设计;其次,以2.0V低电压标准单元库为目标工艺库,完成植入体芯片综合及物理设计,引入基于蒙特卡罗仿真的统计静态时序分析方法,提高低电压路径的时序收敛性.测试结果显示:当工作电压由3.3V降至2.0V时,人工耳蜗植入体芯片功能正常,全芯片功耗下降了74.7%. |
| 关 键 词： | 人工耳蜗 低电压 超低功耗 统计静态时序分析 超大规模集成电路(VLSI) |
Design of low voltage,ultra low-power cochlear implanted chip |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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