射频溅射法制备Pb1—xCoxSe薄膜及物性研究 |
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作者姓名: | 黄良安 周正国 |
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作者单位: | 武汉大学物理学系 |
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摘 要: | 利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体Pb1-xCoxSe薄膜研究了薄膜的成分结构以及电阻率-温度特性和磁化率温度特性间的关系,结果表明,由于Co离子介入,Pb1-xCoxSe发生了由金属特性的向半导体特性的转变,在充分低的温度下,并伴有磁相转变,磁相转变温度与磁性离子浓度相关,磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关。
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关 键 词: | 半磁性半导体 电阻率 物性 射频溅射法 薄膜 |
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