运用Nd：YAG激光器的InGaAsP超晶格激光诱导无序

对与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料进行了热稳定性的研究，通过光荧光谱的测量发现：量子阱材料在６５０℃以上的常规退火条件下，有最大可达１５５ｍｅＶ的ＰＬ峰值蓝移，表明禁带宽度有明显增大。运用１．０６４μｍ连续输出的Ｎｄ；ＹＡＧ激光器进行光子吸收诱导无序技术的研究，比较量子阱材料被辐照前后荧光谱的峰普宽，发现量子阱结构的禁带宽度在激光辐照后有明显增大，证明有量子阱混合现象产生。