运用Nd:YAG激光器的InGaAsP超晶格激光诱导无序 |
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作者姓名: | 黄晓东 何健 |
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作者单位: | 华中理工大学光电子工程系 |
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摘 要: | 对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了热稳定性的研究,通过光荧光谱的测量发现:量子阱材料在650℃以上的常规退火条件下,有最大可达155meV的PL峰值蓝移,表明禁带宽度有明显增大。运用1.064μm连续输出的Nd;YAG激光器进行光子吸收诱导无序技术的研究,比较量子阱材料被辐照前后荧光谱的峰普宽,发现量子阱结构的禁带宽度在激光辐照后有明显增大,证明有量子阱混合现象产生。
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关 键 词: | 量子阱混合 光子吸收 诱导无序 铟镓砷磷 |
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