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| CdS晶体中载流子迁移率的测量 | |
| 引用本文： | 李振钢,赵智虹.CdS晶体中载流子迁移率的测量[J].天津师范大学学报(自然科学版),1996(4). |
| 作者姓名： | 李振钢 赵智虹 |
| 作者单位： | 天津师范大学物理系(李振钢)，天津理工学院材料物理所(赵智虹) |
| 摘 要： | 在室温下，我们测量了电场作用下ＣｄＳ晶体中光生载流子的电流特性，由此计算出电子的迁移率为４２ｃｍ２／Ｖ·Ｓ，空穴的迁移率为１．６×１０２ｃｍ２／Ｖ·Ｓ，激子在其寿命时间内移动约０．４ｍｍ． |
| 关 键 词： | 载流子 迁移率 激子 |
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