| 半导体集成辐射传感器基本原理的研究 |
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| 引用本文： | 王域. 半导体集成辐射传感器基本原理的研究[J]. 山东科学, 1993, 6(4): 11-15 |
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| 作者姓名： | 王域 |
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| 作者单位： | 山东省海洋仪器仪表研究所 青岛 |
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| 摘 要： | 本文首次提出一种新型辐射传感器——半导体集成辐射传感器,并对它的基本原理作了系统的分折和研究。最后导出:辐射照度E与半导体温度集成镜象对管结电压差值的改变量△(△VBE)线性关系式。本文可以作为研制半导体集成辐射传感器的理论依据。
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| 关 键 词： | 传感器 辐射照度 半导体传感器 |
A STUDY ON THE BASIC PRINCIPLE OF A SEMICONDUCTOR INTEGRATED RADIATION SENSOR |
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| Wang Yu. A STUDY ON THE BASIC PRINCIPLE OF A SEMICONDUCTOR INTEGRATED RADIATION SENSOR[J]. Shandong Science, 1993, 6(4): 11-15 |
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| Authors: | Wang Yu |
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| Keywords: | |
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