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高纯元素合成磺化汞及其单晶的生长
引用本文:刘建华,史伟民,钱永彪,李莹,郭燕明,桑文斌. 高纯元素合成磺化汞及其单晶的生长[J]. 上海大学学报(自然科学版), 2001, 7(6): 504-508
作者姓名:刘建华  史伟民  钱永彪  李莹  郭燕明  桑文斌
作者单位:上海大学材料科学与工程学院,上海 201800
摘    要:研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘(I2);采用“三温区汽相合成法”将高纯汞(Hg)与高纯碘合成碘化汞(HgI2);α-HgI2单晶的“三温区定点成核法”的汽相生长,分析讨论了温度场对晶体生长的影响,实验结果表明:汞与碘合成时对碘源区,汞源区,碘化汞沉积区分别设置成不同的合适温度,在合成时碘的量比按化学配比的计算值过量5%左右,且在长晶时对原料进行碘处理的方法能确保HgI2的纯度及汞与碘的最佳化学比,长晶时源区温度在125-126℃,长晶区温度在111-112℃,源区与长晶区的温度梯度为1℃/cm,这样在生工安瓿中所形成的温度场对晶体的生长是比较适宜的。

关 键 词:碘化汞 合成 化学配比 气相晶体生长 湿度场 三温区汽相合成法 温度梯度
文章编号:1007-2861(2001)06-0504-05
修稿时间:2001-06-06

Synthesis of HgI2 by Highly Purified Element and Its Single Crystal Growth
LIU Jian hua,SHI Wei min,QIAN Yong biao,LI Ying GUO Yan ming,SANG Wen bin. Synthesis of HgI2 by Highly Purified Element and Its Single Crystal Growth[J]. Journal of Shanghai University(Natural Science), 2001, 7(6): 504-508
Authors:LIU Jian hua  SHI Wei min  QIAN Yong biao  LI Ying GUO Yan ming  SANG Wen bin
Abstract:
Keywords:mercuric iodine  iodine  the synthesis of mercuric iodine  stoicheiometry  vapor growth of crystal  temperature profile
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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