| 高纯元素合成磺化汞及其单晶的生长 |
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| 引用本文： | 刘建华,史伟民,钱永彪,李莹,郭燕明,桑文斌.高纯元素合成磺化汞及其单晶的生长[J].上海大学学报(自然科学版),2001,7(6):504-508. |
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| 作者姓名： | 刘建华 史伟民 钱永彪 李莹 郭燕明 桑文斌 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院，上海 201800 |
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| 摘 要： | 研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘（I2）；采用“三温区汽相合成法”将高纯汞（Hg)与高纯碘合成碘化汞（HgI2);α-HgI2单晶的“三温区定点成核法”的汽相生长，分析讨论了温度场对晶体生长的影响，实验结果表明：汞与碘合成时对碘源区，汞源区，碘化汞沉积区分别设置成不同的合适温度，在合成时碘的量比按化学配比的计算值过量5％左右，且在长晶时对原料进行碘处理的方法能确保HgI2的纯度及汞与碘的最佳化学比，长晶时源区温度在125－126℃，长晶区温度在111－112℃，源区与长晶区的温度梯度为1℃/cm，这样在生工安瓿中所形成的温度场对晶体的生长是比较适宜的。
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| 关 键 词： | 碘化汞 合成 化学配比 气相晶体生长 湿度场 三温区汽相合成法 温度梯度 |
| 文章编号： | 1007-2861(2001)06-0504-05 |
| 修稿时间： | 2001年6月6日 |
Synthesis of HgI2 by Highly Purified Element and Its Single Crystal Growth |
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| LIU Jian hua,SHI Wei min,QIAN Yong biao,LI Ying GUO Yan ming,SANG Wen bin.Synthesis of HgI2 by Highly Purified Element and Its Single Crystal Growth[J].Journal of Shanghai University(Natural Science),2001,7(6):504-508. |
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| Authors: | LIU Jian hua SHI Wei min QIAN Yong biao LI Ying GUO Yan ming SANG Wen bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | mercuric iodine iodine the synthesis of mercuric iodine stoicheiometry vapor growth of crystal temperature profile |
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