| 单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型 |
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| 引用本文： | 周会,郭慧民,田强.单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型[J].北京师范大学学报(自然科学版),2003,39(3):325-329. |
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| 作者姓名： | 周会 郭慧民 田强 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学物理学系,100875,北京
2. 北京师范大学低能核物理研究所,100875,北京 |
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| 基金项目： | 教育部高校骨干教师资助计划;; |
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| 摘 要： | 在考虑B，P，As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上，讨论了快速热退火对3种注入离子浓度分布的影响，提出了3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型，由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好。
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| 关 键 词： | 单晶硅 离子注入 快速热退火 浓度分布模型 工艺模型 退火温度 退火时间 杂质掺杂 |
| 修稿时间： | 2002年10月24日 |
MODELING THE CONCENTRATION PROFILES OF IMPLANTED IONS IN CRYSTAL SILICON AFTER RAPID THERMAL ANNEALING |
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| Zhou Hui,Guo Huimin,Tian Qiang.MODELING THE CONCENTRATION PROFILES OF IMPLANTED IONS IN CRYSTAL SILICON AFTER RAPID THERMAL ANNEALING[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2003,39(3):325-329. |
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| Authors: | Zhou Hui Guo Huimin Tian Qiang |
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| Institution: | Zhou Hui 1) Guo Huimin 2) Tian Qiang 1) |
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| Abstract: | Through the analysis of experimental results, the influence of rapid thermal annealing (RTA) on the concentration profiles of implanted ions (B, P, As) in crystal silicon is discussed. Three practical models are put forward to simulate the profiles of implanted ions in crystal silicon after RTA. The calculation results and the experimental results fit fairly well. |
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| Keywords: | ion implantation rapid thermal annealing technnical model |
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