| 利用红外反射光谱法研究6H-SiC表面的SiO2特性 |
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| 引用本文： | 刘洪军,王鸥,邬瑞彬,龚敏.利用红外反射光谱法研究6H-SiC表面的SiO2特性[J].四川大学学报(自然科学版),2003,40(4):707-710. |
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| 作者姓名： | 刘洪军 王鸥 邬瑞彬 龚敏 |
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| 作者单位： | 四川大学物理系,成都,610064 |
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| 摘 要： | 通过干氧氧化的方法，在6H-SiC表面生长一层SiO2层，接着置于N2气氛中经过不同的温度退火，使用红外显微仪分别测量退火前后的红外反射谱，通过观测表面氧化层SiO2的红外反射谱图中特征反射峰位(1090cm^-1附近)的变化，以判断退火前后表面氧化层密度的变化情况，进一步推断氧化层的结构变化与杂质类型．
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| 关 键 词： | 6H-SiC SiO2 红外反射 退火 密度 |
| 文章编号： | 0490-6756(2003)04-0707-04 |
A Study of SiO2 Film on 6H-SiC by Infrared Reflectance |
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| Keywords: | 6H-SiC SiO_2 infrared reflectance annealing density |
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