进入纳米时代的CMOS设计 |
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引用本文: | 甘学温,黄爱华,黄如,张兴. 进入纳米时代的CMOS设计[J]. 世界科技研究与发展, 2000, 22(3): 48-52 |
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作者姓名: | 甘学温 黄爱华 黄如 张兴 |
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作者单位: | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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基金项目: | 摩托罗拉中国技术中心资助项目. |
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摘 要: | 本论文着重论述未来CMOS进入纳米尺寸的关键挑战,如电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互边线延迟等影响。分析了纳米CMOS器件结构的设计,讨论了用于纳米尺寸的新型器件结构,包括SOI CMOS、册和环栅MOSFET、凹陷沟道MOSFET、动态阈值MOSFET以及低温CMOS,它们可能把我们带到硅器件设计的最远极限。
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关 键 词: | CMOS SOI器件 纸温 CMOS纳米技术 设计 |
CMOS Technology for the Nanometer Regime |
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