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| 高温层的横向生长对异质外延GaN结构性质的影响 | |
| 作者姓名： | 高志远 郝跃 李培咸 张进城 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号:60736033) |
| 摘 要： | 通过改变MOCVD生长GaN反应的V／III比来改变横／纵向生长速度比，以此来研究两步法中高温GaN层的横向生长对材料结构性质的影响．透射电子显微镜（TEM）和x射线衍射（XRD）实验的研究表明，高温GaN层的横向生长速度越快，位错的传播方向更易于偏离c轴，弯向晶粒内部，且弯曲的位置越靠近缓冲层，但位错密度并不随横向生长的加速而单调变化．提出了一个关于GaN生长动力学过程和位错弯曲机制的模型以解释横向生长与GaN结构的对应关系． |
| 关 键 词： | GaN 横向生长 位错 V/III |
| 收稿时间： | 2007-08-22 |
| 修稿时间： | 2007-10-31 |
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