| GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的Type-Ⅱ特性 |
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| 引用本文： | 成鸣飞,成珏飞,罗向东. GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的Type-Ⅱ特性[J]. 南通大学学报(自然科学版), 2006, 5(2): 7-9,14 |
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| 作者姓名： | 成鸣飞 成珏飞 罗向东 |
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| 作者单位： | 1. 南通大学,江苏,南通,226007
2. 苏州职业大学,江苏,苏州,215006 |
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| 摘 要： | 研究了分子束外延生长的不同舍量的GaAs1-xSbx／GaAs量子阱的光荧光特性和时间分辨光谱特性．分析表明，利用电子空穴分离导致了能带弯曲和能带填充效应，实验结果说明了GaAs1-xSbx／GaAs异质结至少在Sb原子数目百分比为16％～26％时是Type-Ⅱ结构．
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| 关 键 词： | 量子阱 异质结 Type-Ⅱ结构 |
| 文章编号： | 1673-2340（2006）02-0007-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-19 |
| 修稿时间： | 2005-10-19 |
Type-Ⅱ Characteristic of GaAs1-xSbx/GaAs Quantum Wells |
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| CHENG Ming-fei,CHENG Jue-fei,LUO Xiang-dong. Type-Ⅱ Characteristic of GaAs1-xSbx/GaAs Quantum Wells[J]. Journal of Nantong University (Natural Science Edition), 2006, 5(2): 7-9,14 |
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| Authors: | CHENG Ming-fei CHENG Jue-fei LUO Xiang-dong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs1-xSbx/GaAs |
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