| InGaAs/InP半导体激光器自锁模特性的研究 |
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| 引用本文： | (向望华,(S. Machida,(K. Watanabe,(S.R. Friberg,(Y.Yamamoto.InGaAs/InP半导体激光器自锁模特性的研究[J].科学通报,1998,43(8):892-893. |
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| 作者姓名： | (向望华 (S. Machida (K. Watanabe (S.R. Friberg (Y.Yamamoto |
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| 作者单位： | 天津大学精密仪器与光电子学院!天津300072，NTTBasicResearchLaboratories，Japan，NTTBasicResearchLaboratories，Japan，NTTBasicResearchLaboratories，Japan，NTTBasicResearchLaboratories，Japan |
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| 摘 要： | Ｓｐｅｎｃｅ1]在掺钛蓝宝石激光中实现了自锁模,它的诞生,使超短脉冲激光进入了新阶段.近年来,Ｃｒ4 :ＹＡＧ,Ｃｒ:ＬｉＳｒＬＦ6等固体材料也实现了激光的自锁模运转。无论是以ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＰ量子阱材料2,3]或ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＰ体材料为激活介质,在外腔工作条件下,采用锁模Ｎｄ:ＹＡＧ(1.3μｍ)激光同步泵浦,都曾获得高功率窄脉冲运转,这里介绍一种ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＰ体材料在连续的Ｎｄ:ＹＡＧ激光泵浦下,采用外腔结构实现自锁模运转的实验结果,我们所使用的实验装置结构是如图1(ｂ)所示的外腔面发射ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＰ半导体…
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| 关 键 词： | 半导体激光器 自锁模特性 InGaAs 磷化铟 |
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