| MeV硅离子注入砷化镓的两步快退火 |
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| 引用本文： | 张燕文,姬成周.MeV硅离子注入砷化镓的两步快退火[J].北京师范大学学报(自然科学版),1992,28(4):483-490. |
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| 作者姓名： | 张燕文 姬成周 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所 100875 北京新外大街，100875 北京新外大街，100875 北京新外大街 |
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| 摘 要： | 报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350～450℃),长时间(20～30 s)退火和高温(970～1050℃),短时间(1～2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30％,迁移率为2400～2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42～46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。
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| 关 键 词： | 砷化镓 离子注入 硅离子 |
MeV Si IMPLANTED GaAs ACTIVATED BY A TWO-STEP RAPID THERMAL ANNEALING |
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| Zhang Yanwen Ji Chengzhou Li Guohui.MeV Si IMPLANTED GaAs ACTIVATED BY A TWO-STEP RAPID THERMAL ANNEALING[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1992,28(4):483-490. |
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| Authors: | Zhang Yanwen Ji Chengzhou Li Guohui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MeV Si implantation GaAs point defect two-step RTA |
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