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GaAs光电导开关非线性锁定效应的机理研究
引用本文:薛红,施卫,纪卫莉,韩小卫. GaAs光电导开关非线性锁定效应的机理研究[J]. 西安理工大学学报, 2011, 0(4)
作者姓名:薛红  施卫  纪卫莉  韩小卫
作者单位:西安理工大学理学院;渭南师范学院物理系;
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2007CB310406); 国家自然科学基金资助项目(50837005,10876026)
摘    要:根据光激发电荷畴模型,研究强电场条件下,半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的瞬态输运过程及载流子与晶格相互作用的性质,并对光激发单极电荷畴的形成、生长、输运及达到稳定平衡状态的全过程进行了分析。认为GaAs光电导开关的非线性锁定效应是光激发单电荷畴处于稳定平衡状态时的必然结果,同时,电荷畴内部及前端的强电场区域伴随有热电子强烈的局部碰撞电离和辐射复合作用,使载流子迅速雪崩倍增,形成输出电脉冲的超快上升沿,强电场区出现在GaAs光电导开关的阳极周围,在电荷畴到阳极之间将发生强烈的碰撞电离和辐射复合发光,形成丝状电流。

关 键 词:光电导开关  锁定效应  光激发单极电荷畴  非平衡载流子  

Lock-on Mechanism in Nonlinear Mode of Photoconductive Switches
XUE Hong,,SHI Wei,JI Weili,HAN Xiaowei. Lock-on Mechanism in Nonlinear Mode of Photoconductive Switches[J]. Journal of Xi'an University of Technology, 2011, 0(4)
Authors:XUE Hong    SHI Wei  JI Weili  HAN Xiaowei
Affiliation:XUE Hong1,2,SHI Wei1,JI Weili1,HAN Xiaowei1,2
Abstract:According to photo-activated charge domain model,the transient transport processes of hot electrons and the nature of carriers-lattice interaction in the semi-insulating GaAs photoconductive switches with an ultrahigh electric fields is discussed;and the processes of producing and growth and achieved stable equilibrium state on photo-activated monopole domain is analyzed in details.The results indicate that the Lock-on effect in nonlinear mode of photoconductive switches is a stable equilibrium state of pho...
Keywords:photoconductive switches  lock-on effect  photo-activated monopole domain  non-equilibrium carriers  
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