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| Si/SiO_2异质界面的超精细硅量子线 | |
| 引用本文： | 施毅.Si/SiO_2异质界面的超精细硅量子线[J].科学通报,1995,40(18):1727-1727. |
| 作者姓名： | 施毅 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 南京210093 (施毅，刘建林，汪峰，张荣，韩平，朱顺明，郑有斗)，南京电子器件研究所 南京210016(茅保华) |
| 摘 要： | 作为半导体科学技术研究前沿领域的硅低维量子结构,它无论在低维物理基础研究,还是在技术应用上,都具有十分重要的意义.硅量子线作为纳米电子学的基础,将发展实现特大规模集成电路和开拓新一代硅量子效应的器件;同时,这种人工设计的一维微结构材料的能带结构不同于天然硅材料,可望获得高的发光效率,用于发展硅基集成光电子技术.国际上采用先进的材料生长手段和各种亚微米级以至纳米级的超微细 |
| 关 键 词： | 硅 二氧化硅 异质界面 硅量子线 |
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