磁控溅射制备AlN过渡层ZnO薄膜及其性能研究 |
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引用本文: | 赵祥敏,李敏君,张伟,赵文海.磁控溅射制备AlN过渡层ZnO薄膜及其性能研究[J].科技信息,2011(1):52-52. |
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作者姓名: | 赵祥敏 李敏君 张伟 赵文海 |
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作者单位: | [1]牡丹江师范学院新型碳基功能与超硬材料省级重点实验室,黑龙江牡丹江157012 [2]黑龙江商业职业学院,黑龙江牡丹江157011 |
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摘 要: | 大量研究表明ZnO薄膜已在气敏器件、表面声波器件和压敏器件等方面得到较为广泛的应用。由于Si与ZnO的晶格常数及热膨胀系数的失配度均很大,难以实现高质量ZnO薄膜的外延生长,采用中间缓冲层是一种值得研究的工艺。由于AIN的晶格结构与ZnO相同,所以可作为生长高质量ZnO薄膜的缓冲层,并改善ZnO/AlN界面结构。实验采用射频磁控溅射制备了ZnO/AlN双层膜,研究了薄膜的结构和形貌。结果表明,相比于相同工艺下制备的ZnO/Si薄膜,双层膜的生长取向依然是(002),应力减小,结晶质量更好。
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关 键 词: | 缓冲层 ZnO/AlN双层膜 射频磁控溅射 |
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