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| 10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响 | |
| 引用本文： | 刘晓星,袁智明,李岳彬,李根.10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响[J].首都师范大学学报(自然科学版),2022(2):29-35,41. |
| 作者姓名： | 刘晓星 袁智明 李岳彬 李根 |
| 摘 要： | 本文研究了10 MeV电子辐照对4H-SiC的晶体结构和电学性能的影响.X射线衍射和拉曼光谱分析结果表明:1.29×1019、2.60×1019和3.90×1019 cm-2的电子辐照剂量对样品的晶体结构和晶型无显著影响,剂量达到5.20×1019 cm-2后,样品内部会产生轻微的晶格畸变.通过非接触式电阻测量仪分析样... |
| 关 键 词： | 4H-SiC 高能电子辐照 电阻率 |