BST类氧化物铁电薄膜的生长研究 |
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作者姓名: | 李言荣 张鹰 朱俊 李燕 蒋书文 张万里 杨传仁 |
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作者单位: | 电子科技大学微电子与固体电子学院 电子科技大学微电子与固体电子学院 成都 |
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摘 要: | 利用脉冲激光分子束外延(PLMBE)并结合反射式高能电子衍射(RHEED)方法,针对BST类氧化物铁电薄膜的生长机理进行了较为系统的实验研究。通过生长模式、生长相图、弛豫时间等的变化规律提出氧化物薄膜的原胞生长机理,通过原位实时监测生长过程获得~300℃的最低层状晶化温度,通过界面形成的压应力、张应力调控薄膜表面的形貌结构,通过不对称介质超晶格的设计获得高性能的铁电极化强度,通过过渡层技术在Si基片上实现了铁电薄膜取向生长等。
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