硅二极管I—V特性及二次击穿计算 |
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引用本文: | 余稳,蔡新华.硅二极管I—V特性及二次击穿计算[J].常德师范学院学报(自然科学版),2000,12(3):31-33. |
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作者姓名: | 余稳 蔡新华 |
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作者单位: | 常德师范学院电子学研究所,湖南常德 |
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摘 要: | 利用时域有限差分方法,求解了一维半导体器件内总裁 流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论,并构造了一种准确,快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。
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关 键 词: | 硅二极管 I-V特性 二次击穿 时域有限差分 |
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