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液氦~4He表面电子输运理论中的有效温度近似
引用本文:刘秉钧,田东平. 液氦~4He表面电子输运理论中的有效温度近似[J]. 西安交通大学学报, 1990, 0(1)
作者姓名:刘秉钧  田东平
作者单位:西安交通大学物理系,西安交通大学物理系
摘    要:本文改进了液氦~4He 表面电子输运理论中的有效温度近似处理方法,研究了平行于表面的电子迁移率.研究结果表明:当漂移场小于0.8V/cm 时,电子基本上处于基亚能带,电子系统仍是较理想的二维系统;当温度小于0.6K 时,电子-皱子(ripplon)散射起主要作用,电子-~4He 气原子散射可以忽略,而当温度大于1.65K 时,电子-~4He 气散射是主要的,皱子散射可以忽略.

关 键 词:Boltzmann 输运方程  迁移率  电子态

EFFECTIVE TEMPERATURE APPROXIMATION IN THE TRANSPORT THEORY OF ELECTRONS ON LIQUID ~4He SURFACE
Liu Bingjun Tian Dongping. EFFECTIVE TEMPERATURE APPROXIMATION IN THE TRANSPORT THEORY OF ELECTRONS ON LIQUID ~4He SURFACE[J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 1990, 0(1)
Authors:Liu Bingjun Tian Dongping
Affiliation:Department of physics
Abstract:
Keywords:boltzmann transport equation  mobility  electronic states
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