| 高介电常数HfAlO氧化物薄膜基电荷俘获型存储器件性能研究 |
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| 引用本文： | 汤振杰,张婷,殷江.高介电常数HfAlO氧化物薄膜基电荷俘获型存储器件性能研究[J].河南大学学报(自然科学版),2013(3):249-252. |
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| 作者姓名： | 汤振杰 张婷 殷江 |
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| 作者单位： | 安阳师范学院物理与电气工程学院;南京大学材料科学与工程系固体微结构物理国家重点实验室;河南大学物理与电子学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50972054);河南省教育厅科学技术研究重点项目(13A140021) |
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| 摘 要： | 利用原子层沉积方法制备了高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件,并对器件的电荷存储性能做了系统研究.利用高分辨透射电子显微(HRTEM)技术表征了(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜的形貌、尺寸及器件结构.采用4200半导体分析仪测试了存储器件的电学性能.研究发现,存储器件在栅极电压为±8V时的存储窗口达到3.5V;25℃,85℃和150℃测试温度下,通过外推法得到,经过10年的数据保持时间,存储器件的存储窗口减小量分别为17%,32%和48%;(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件经过105次写入/擦除操作后的电荷损失量仅为4.5%.实验结果表明,利用高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜作为存储层能够提高器件的电荷俘获性能,具有良好的应用前景.
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| 关 键 词： | 高介电常数 HfAlO氧化物 电荷存储 原子层沉积 |
Study on the Charge Storage Characteristics of High-k(HfO_2)_(0.8)(Al_2O_3)_(0.2) Based Charge Trapping Memory Device |
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| TANG Zhen jie,ZHANG Ting,YIN Jiang.Study on the Charge Storage Characteristics of High-k(HfO_2)_(0.8)(Al_2O_3)_(0.2) Based Charge Trapping Memory Device[J].Journal of Henan University(Natural Science),2013(3):249-252. |
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| Authors: | TANG Zhen jie ZHANG Ting YIN Jiang |
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| Institution: | 1.College of Physics and Electronic Engineering,Anyang Normal University,Anyang 455000,China;2.Department of materials science of engineering,National Laboratory of Solid State Microstructures,Nanjing University,Nanjing 210093,China;3.School of Physics and Electronics,Henan University,Kaifeng 475004,China) |
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