| 一种基于BCD工艺的850 nm光接收芯片的研制 |
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| 引用本文： | 颜黄苹,程翔,李继芳,黄元庆.一种基于BCD工艺的850 nm光接收芯片的研制[J].厦门大学学报(自然科学版),2010,49(5). |
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| 作者姓名： | 颜黄苹 程翔 李继芳 黄元庆 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理与机电工程学院,福建,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 采用0.5 μm BCD工艺研制了一种850 nm光接收芯片,包括光电探测器、跨阻前置放大器及后续处理电路.通过器件模拟设计并分析了基于BCD工艺的光电探测器的结构及其特性;设计光接收芯片的增益约为43.23 kΩ,上限截止频率为700 MHz.测试结果表明,探测器暗电流为pA量级,响应度为0.08 A/W.光接收芯片功耗约为100 mW,电噪声为4 nW;在输入313 Mbit/s非归零伪随机二进制序列调制的信号及无误码的情况下,灵敏度为-13.0 dB·m;该光接收芯片速率可达622 Mbit/s.
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| 关 键 词： | 光接收芯片 探测器 前置放大器 |
Research of 850 nm Optical Receiver Based on BCD Technology |
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| YAN Huang-ping,CHENG Xiang,LI Ji-fang,HUANG Yuan-qing.Research of 850 nm Optical Receiver Based on BCD Technology[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2010,49(5). |
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| Authors: | YAN Huang-ping CHENG Xiang LI Ji-fang HUANG Yuan-qing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BCD |
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