| VUMOSFET开关电容的研究 |
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| 引用本文： | 石广源,盖锡民,王新,孙永斌.VUMOSFET开关电容的研究[J].辽宁大学学报(自然科学版),2009,36(4):313-315. |
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| 作者姓名： | 石广源 盖锡民 王新 孙永斌 |
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| 作者单位： | 1. 辽宁大学,物理学院,辽宁,沈阳,110036
2. 丹东安顺微电子有限公司,辽宁,丹东,118002 |
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| 基金项目： | 沈阳市科技局科研项目 |
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| 摘 要： | VUMOSFET是一种新型功率器件，它一个很重要的优点是它特有的沟槽结构减小了器件的寄生电容，而寄生电容的充放电过程是限制VUMOSFET开关速度的主要因素，本文剖析了VUMOSFET主要寄生电容的结构并给出计算公式，通过公式可以定量的减小寄生电容，从而降低开关时间，减少功率损耗，对设计具有指导作用．
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| 关 键 词： | VUMOSFET Cgs Cgd Cds |
The Research of VUMOSFET Switched-Capacitor |
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| SHI Guang-yuan,WANG Xin,SUN Yong-bin.The Research of VUMOSFET Switched-Capacitor[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),2009,36(4):313-315. |
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| Authors: | SHI Guang-yuan WANG Xin SUN Yong-bin |
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| Institution: | SHI Guang-yuan1,WANG Xin2,SUN Yong-bin1(1.Physics College of Liaoning University,Shenyang,Liaoning,110036,2.Dandong Anshun Micoelectronics Co.,Ltd Dandong Liaoning 118002) |
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| Abstract: | VUMOSFET is a new type of power devices,it is a very important advantage is its unique structure of the trench to reduce the device parasitic capacitances,and parasitic capacitances of the charge-discharge process is to limit the VUMOSFET a major factor in switching speed.This article analyzes the major parasitic capacitance in VUMOSFET structure and the formula given by it can reduce the parasitic capacitances quantitative,thus reducing the switch time to reduce the power loss,it is guide for the design. |
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| Keywords: | VUMOSFET Cgs Cgd Cds |
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