| ( Ni0.81Fe0.19) 1-xCrx缓冲层上生长高各向异性磁电阻Ni0.81Fe0.19薄膜的研究 |
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| 作者姓名： | 李海峰 马纪东 于广华 龙世兵 赵洪辰 朱逢吾 |
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| 作者单位： | 李海峰（北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083）;马纪东（北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083）;于广华（北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083）;龙世兵（北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083）;赵洪辰（北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083）;朱逢吾（北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083） |
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| 基金项目： | 本工作为国家自然科学基金重大资助项目(批准号: 19890310). |
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| 摘 要： | 用直流磁控溅射方法制备了以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为缓冲层的Ni0.81Fe0.19薄膜, 研究结果表明：当缓冲层厚度约为4.4 nm, Cr的浓度约为36(原子百分数)时, Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值较大, 其最大值达3.35%. 原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)研究表明：Ni0.81Fe0.19薄膜AMR值最大时, 其表面平均晶粒尺寸最大, Ni0.81Fe0.19(111)衍射峰最强.
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| 关 键 词： | (Ni0.81Fe0.19)1-xCrx缓冲层 各向异性磁电阻 晶粒尺寸 Ni0.81Fe0.19(111)衍射峰 |
| 收稿时间： | 2002-06-18 |
| 修稿时间： | 2002-06-18 |
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