| 用键合工艺制备大面积场发射阵列 |
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| 引用本文： | 黄庆安.用键合工艺制备大面积场发射阵列[J].科学通报,1993,38(9):780-780. |
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| 作者姓名： | 黄庆安 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心，东南大学微电子中心，东南大学微电子中心，东南大学微电子中心，东南大学微电子中心，东南大学微电子中心 南京 210018，南京 210018，南京 210018，南京 210018，南京 210018，南京 210018 |
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| 基金项目： | 东南大学青年科学基金资助课题 |
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| 摘 要： | 近年来,真空微空电子学的发展特别引人瞩目。真空微电子器件结合了电子的真空输运及大规模集成的微细加工技术,有着广阔的应用前景。该类器件要在适中的电压下工作,需要约1×10~7V/cm的强电场,为此,要制备出尖端阴极,以使局部电场集中。显见,阴极制备就成为真空微电子器件的关键工艺之一。早在1968年spindt就用蒸发钼的方法形成尖端阴极,后来又进行了改进。该方法在
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| 关 键 词： | 真空微电子 阴极 制备 键合 |
| 收稿时间： | 1992-08-17 |
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