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| 纳米二氧化硅粒子的改性研究 | |
| 摘 要： | 利用傅立叶红外光谱仪、接触角测试仪和Zeta电位测定仪等仪器分别测试未改性和γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH570)改性的纳米二氧化硅粒子表面的分子结构、接触角和电荷,分析两者之间的宏观性能和微观分子结构区别,以此判断改性效果;采用TG定量分析纳米二氧化硅(Si O_2)表面偶联剂KH570的接枝率,研究分散液的p H值、偶联剂用量、水用量等工艺条件对接枝率的影响,结果表明:当偶联剂KH570用量在20%二氧化硅质量范围内,随着偶联剂用量增加接枝率不断增大,当超过这个用量后,则由于空间位阻效应导致接枝率变化不明显. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |