| 屏蔽对GaAs／AlxGa1—xAs异质结系统中施主结合能的影响 |
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| 引用本文： | 曹轶乐,班士良.屏蔽对GaAs／AlxGa1—xAs异质结系统中施主结合能的影响[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2001,32(4):392-396. |
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| 作者姓名： | 曹轶乐 班士良 |
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| 作者单位： | 内蒙古大学理工学院物理系, |
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| 摘 要： | 对半导体单异质结系统，引入了三角势近似异质结势，考虑电子对杂质库伦势的屏蔽影响，利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量，对GaAs/AlxGa1-xAs系统的杂质态结合能进行了数值计算，给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系，并讨论了有无屏蔽时的区别。
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| 关 键 词： | 异质结 结合能 屏蔽影响 电子面密度 施主杂质 半导体 |
| 文章编号： | 1000-1638(2001)04-0392-05 |
| 修稿时间： | 2001年2月28日 |
Screening Influence on the Binding Energy of a Donor in a GaAs/AlxGa1-xAs
Heterojunction System |
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