| S－GaAs表面键对砷化镓电性能的影响 |
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| 引用本文： | 张桂樯,蔡颂仪,朱永强,曹永明.S－GaAs表面键对砷化镓电性能的影响[J].应用科学学报,1994(4). |
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| 作者姓名： | 张桂樯 蔡颂仪 朱永强 曹永明 |
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| 作者单位： | 复旦大学 |
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| 摘 要： | 砷化镓表面经硫化钠水溶液处理后，其电学性能得到很好的改善。实验样品的电容电压特性曲线发生变化，势垒电容变大。Ｘ射线光电子谱揭示样品表面氧的成分大大减少，砷的结合能由原来的１３２１．４７ｅＶ变为１３２１．００ｅＶ，Ａｓ（２Ｐ＿（３／２））芯能级移位０．４７ｅＶ。砷化镓表面形成Ｓ－Ａｓ键，改善了表面费米能级的钉札，减少了表面态密度及表面复合中心。
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| 关 键 词： | 硫化钠处理，X光电子谱，二次离子质谱 |
EFFECT OF S-GaAs SURFACE BONDS ON GaAs ELECTRONIC PROPERTY |
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| ZHANG GUIQIANG CAI SONGYI ZHU YONQIANG CAO YONGMING.EFFECT OF S-GaAs SURFACE BONDS ON GaAs ELECTRONIC PROPERTY[J].Journal of Applied Sciences,1994(4). |
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| Authors: | ZHANG GUIQIANG CAI SONGYI ZHU YONQIANG CAO YONGMING |
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| Institution: | Fudan Universiry |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aqueous solution of sodium sulfide nonahydrate XPS SIMS |
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