用时效对内耗和模量亏损的影响研究钼中位错的钉扎效应

用压电石英三节组合振子内耗及模量虧损测量装置测量低温时效(180℃—270℃)对微冷加工的区熔提纯钼单晶(f-88 kc/s)的内耗——应变振幅曲线及模量虧损——应变振幅曲线的影响。随着时效时间的增长,两曲线都逐渐降低,其变化符合GL的位错钉扎内耗理论及Cottrell和Bilby的t~(2/3)时效关系。由振幅无关内耗及模量虧损和振幅有关内耗及模量虧损分别求得引起时效的点缺陷的扩散激活能为1.1ev,1.15ev,1.15ev,1.0ev。对另一个微冷加工的区熔提纯钼单晶(f=102 kc/s)的测量,和前文一样测得内耗——应变振幅曲线在大振幅处有转折平台,並发现内耗的时效分两个阶段进行,在130℃—170℃时效,转折平台逐渐下降至消失,内耗曲线趋於变为稳定的具有一振幅无关部分和一随振幅单调上升部分的形状,为了使内耗曲线进一步变化,必须在300℃以上继续时效。对於第Ⅰ阶段从转折平台高度的变化求得对应的扩散激活能为1.0ev,对於第Ⅱ阶段从大振幅处直线的斜率的变化求得对应的扩散激活能为1.3ev。由於两个阶段的扩散激活能不同,可以认为两个温度范围的时效是两种不同的点缺陷所引起,本文並对时效过程中转折平台的逐步变化作了统一的说明。