用于双极型集成电路的共岛金属——氧化物——半导体(MOS)电容器 |
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引用本文: | 黄深明,杨书语,张红南.用于双极型集成电路的共岛金属——氧化物——半导体(MOS)电容器[J].湖南大学学报(自然科学版),1983,10(3). |
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作者姓名: | 黄深明 杨书语 张红南 |
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摘 要: | 本文提出一种新的金属——氧化物——半导体(MOS)电容器结构,取名共岛MOS电容器。在双极型集成电路中,它具有和各种元件共置一个隔离岛的特点,能增加集成电路设计的灵活性,缩小芯片面积,为振荡器集成化提供一个只需要四块掩模版的简单工艺的设计方法。最后,本文介绍共岛MOS电容器在晶体振荡器集成化中应用的满意结果。
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