| 高可靠性晶体管发辉现象的机理分析与测试安全 |
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| 引用本文： | 倪振文,王俊年,吕振肃,沈洪远.高可靠性晶体管发辉现象的机理分析与测试安全[J].兰州大学学报(自然科学版),2003,39(1):39-42. |
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| 作者姓名： | 倪振文 王俊年 吕振肃 沈洪远 |
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| 作者单位： | 1. 湘潭工学院信息与电气工程系,湖南,湘潭,411201
2. 兰州大学信息科学与工程学院,甘肃,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 通过对高可靠性晶体管Vcbo击穿特性发辉现象的失效问题的实验对比分析和物理机理的研究，找出了产生此现象的直接原因，进而通过对晶体管安全工作方面的实验和研究，提出解决发辉现象的措施和测试Vcbo单结特性时应注意的问题，确保了产品的可靠性。
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| 关 键 词： | 高可靠性晶体管 Vcbo击穿特性 发辉现象 安全工作区 物理机理 测试安全 |
| 文章编号： | 0455-2059(2003)01-0039-04 |
| 修稿时间： | 2002年2月26日 |
Mechanism analysis and solution of testing safety of high reliable transistor sparkling phenomena |
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| Abstract: | By experiment analysis and physical mechanism study, the direct cause of sparkling phenomena of V cbo breakdown characteristic of high reliable transistor had been identified, and the solution of the sparkling phenomena and the problems for testing of V cbo single junction characteristic were presented to ensure the product's reliability. |
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| Keywords: | Vcbo breakdown characteristic sparkling phenomena reliability transistor safe working area |
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