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| 深亚微米器件Monte Carlo模拟的数学模型 | |
| 作者姓名： | 赵平 魏同立 吴金 |
| 作者单位： | ：东南大学微电子中心, 南京 210096 |
| 摘 要： | 讨论了深亚微米半导体器件模拟的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法（ＭＣＭ），并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系。 |
| 关 键 词： | 深亚微米器件 半导体器件 蒙特卡罗模拟 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
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