| 自组织生长InAs量子点的发光性质研究 |
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| 引用本文： | 蔡加法,孔令民,吴正云,陈主荣,牛智川. 自组织生长InAs量子点的发光性质研究[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 2003, 42(6): 732-735 |
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| 作者姓名： | 蔡加法 孔令民 吴正云 陈主荣 牛智川 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学物理学系,福建,厦门,361005
2. 中科院半导体研究所超晶格实验室MBE组,北京,100083 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学重点基金(A992001)资助 |
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| 摘 要： | 通过对加InGaAs覆盖层的InAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究．发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变；中间温度区载流子寿命随温度升高而变大；更高温度时．发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降．
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| 关 键 词： | 自组织生长砷化铟量子点 发光性质 铟钙砷三元化合物 覆盖层 光致发光 瞬态荧光谱 寿命 |
| 文章编号： | 0438-0479(2003)06-0732-04 |
| 修稿时间： | 2002-12-04 |
Optical Properties of Self-organized InAs Quantum Dots |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | self-organized InAs quantum dots InGaAs capping layer PL TRPL lifetime |
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