| 硅喇曼光谱研究 |
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| 引用本文： | 杨锦赐,连世阳.硅喇曼光谱研究[J].厦门大学学报(自然科学版),1987(3). |
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| 作者姓名： | 杨锦赐 连世阳 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系
(杨锦赐)，厦门大学物理学系(连世阳) |
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| 摘 要： | 对于由晶格振动所调制的喇曼声子谱,如果不考虑非简谐效应,则声子频率不随温度的变化而变化,即频移不随温度改变。但是,实验指出频移和线宽跟温度有关,温度上升频移减小,线宽增大,这种频移和线宽对温度的依赖是由声子相互作用过程中的非简谐性引起的,即晶格振动势能的三次方以上的贡献。Hart等人用微扰理论建立三声
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Study of the Raman Spectrum of Silicon |
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| Yang Jinci Lian Shiyang.Study of the Raman Spectrum of Silicon[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1987(3). |
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| Authors: | Yang Jinci Lian Shiyang |
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| Institution: | Department of Physics |
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| Abstract: | Si Raman spectra of one-phonon over the temperature range of 17.4-300K and two-phonons at room temperature were measured. The formulas of the frequency shift and linewidth are derived from the theory of perturbation, Theoretical results agree basically with experimental values. |
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| Keywords: | Raman spectrum Frequency shift Line width Silicon |
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