| PECVD法低温制备微晶硅薄膜的晶化控制 |
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| 引用本文： | 李瑞 卢景霄 陈永生 杨仕娥 郜小勇 靳锐敏 王海燕 张宇翔 张丽伟. PECVD法低温制备微晶硅薄膜的晶化控制[J]. 科学技术与工程, 2005, 5(13): 876-878883 |
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| 作者姓名： | 李瑞 卢景霄 陈永生 杨仕娥 郜小勇 靳锐敏 王海燕 张宇翔 张丽伟 |
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| 作者单位： | 郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052 |
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| 基金项目： | 河南省科技攻关项目(0324240045)资助 |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM)研究了H2稀释、衬底温度、射频功率等对薄膜晶化的影响。研究结果表明,当H2稀释比从95%升高到99%、衬底温度从200℃逐渐升高到400℃、硅膜的晶化率逐渐提高,结构逐渐由非晶向微晶转变,射频功率对薄膜晶化的影响有一最优值。
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| 关 键 词： | 微晶硅薄膜 等离子增强化学气相沉积(PECVD) 晶化率 |
| 文章编号： | 1671-1815(2005)13-0876-04 |
Crystalline Control of Microcrystalline Silicon Thin Film Deposited by Low Temperature PECVD |
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| LI Rui,LU Jingxiao,CHEN Yongsheng,YANG Shi''e,GAO Xiaoyong,JIN Ruimin,WANG Haiyan,ZHANG Yuxiang,ZHANG Liwei The Key Laboratory of Materials Physics of Educational Ministry,Zhengzhou University,Zhengzhou. Crystalline Control of Microcrystalline Silicon Thin Film Deposited by Low Temperature PECVD[J]. Science Technology and Engineering, 2005, 5(13): 876-878883 |
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| Authors: | LI Rui LU Jingxiao CHEN Yongsheng YANG Shi''e GAO Xiaoyong JIN Ruimin WANG Haiyan ZHANG Yuxiang ZHANG Liwei The Key Laboratory of Materials Physics of Educational Ministry Zhengzhou University Zhengzhou |
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| Affiliation: | LI Rui,LU Jingxiao,CHEN Yongsheng,YANG Shi'e,GAO Xiaoyong,JIN Ruimin,WANG Haiyan,ZHANG Yuxiang,ZHANG Liwei The Key Laboratory of Materials Physics of Educational Ministry,Zhengzhou University,Zhengzhou 450052 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microcrystalline silicon thin films plasma-enhanced chemical vapor deposition crystalline percent |
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