| Ho掺杂对Ba(Zr0.1Ti0.9)O3基陶瓷介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 马蓉,崔斌,胡登卫,王艳.Ho掺杂对Ba(Zr0.1Ti0.9)O3基陶瓷介电性能的影响[J].宝鸡文理学院学报(自然科学版),2021,41(3):46-50. |
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| 作者姓名： | 马蓉 崔斌 胡登卫 王艳 |
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| 作者单位： | 宝鸡文理学院化学化工学院,铁电功能材料工程(技术)研究中心,陕西宝鸡721013;西北大学化学与材料科学学院,陕西西安710127 |
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| 摘 要： | 目的 通过Ho掺杂提高Ba (Zr0.1Ti0.9)O3 (BZT)基Y5V型陶瓷的介电性能.方法 采用Sol-gel一步法研究Ho掺杂对BZT基Y5V型纳米粉体及陶瓷微观形貌及介电性能的影响规律.结果 当Ho含量为0.10 mol％时,陶瓷最大介电常数为19943,容温变化率(TCC)符合Y5V标准.结论 随Ho含量的增加,BZT陶瓷的居里温度向低温方向移动,居里峰展宽,最大介电常数先增大后减小.因此,通过匹配的元素对材料进行掺杂改性,同时辅以优化的制备工艺可以实现陶瓷介电性能的有效提升.
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| 关 键 词： | Ho掺杂 Sol-gel一步法 Y5V 介电性能 |
The effect of Ho doping on the dielectric properties of Ba (Zr0.1Ti0.9)O3-based ceramics |
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| MA Rong,CUI Bin,HU Deng-wei,WANG Yan.The effect of Ho doping on the dielectric properties of Ba (Zr0.1Ti0.9)O3-based ceramics[J].Journal of Baoji College of Arts and Science(Natural Science Edition),2021,41(3):46-50. |
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| Authors: | MA Rong CUI Bin HU Deng-wei WANG Yan |
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