| 倒置有机发光二极管中电子注入的研究及发展 |
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| 作者单位： | 泰山学院物理与电子工程学院,泰安271000;苏州大学功能纳米与软物质研究院,江苏省碳基功能材料与器件重点实验室,苏州215123;泰山学院物理与电子工程学院,泰安271000;苏州大学功能纳米与软物质研究院,江苏省碳基功能材料与器件重点实验室,苏州215123 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金;山东省重点研发计划 |
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| 摘 要： | 在文化和科技迅速发展的时代,信息显示广泛应用于社会生活的各个领域.在众多新型显示技术中,有机发光二极管(organic light-emitting diodes, OLEDs)凭借高对比、广视角、高显色等优势成为新一代显示技术.多样的有机材料、简单的器件结构和制备技术给予它更多的发展可能.其中,倒置结构的OLEDs(inverted organic lightemitting diodes, iOLEDs)因与基于n型薄膜晶体管(thin film transistors, TFTs)的驱动电路具有更好的兼容性而备受关注.然而, iOLEDs器件中氧化铟锡(indium tin oxide, ITO)阴极与有机发光层的最低未占据分子轨道(lowest unoccupied molecular orbital, LUMO)之间存在较大能级差,较低的电子注入效率严重限制了器件性能.针对这一问题,本文综述了提升iOLEDs电子注入效率的研究进展,主要围绕Richardson-Schottky(RS)热注入和Fowler-Nordheim(FN)量子隧穿两种电子注入模型展开讨论.
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| 关 键 词： | 倒置有机发光二极管 低功函数 界面偶极层 电子注入 掺杂 界面修饰 |
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