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电子镇流器局部热点分析
引用本文:杨华,徐殿国,李向荣.电子镇流器局部热点分析[J].佳木斯大学学报,2006,24(2):226-228.
作者姓名:杨华  徐殿国  李向荣
作者单位:哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院 黑龙江哈尔滨150001
基金项目:哈尔滨工业大学校科研和教改项目
摘    要:电子镇流器工作过程中,其内部器件的发热引起的温升过高是导致镇流器损坏的主要原因之一.本文通过对电子镇流器基本结构进行介绍,在不同的温度环境中主要器件发热情况进行实验测试,并进行理论分析,给出了相应的解决方案.

关 键 词:电子镇流器  发热  温升
文章编号:1008-1402(2006)02-0226-03
收稿时间:2006-02-06
修稿时间:2006年2月6日

The Analysis on High Temperature Point in Electronic Ballast
YANG Hua,XU Dian-guo,LI Xiang-rong.The Analysis on High Temperature Point in Electronic Ballast[J].Journal of Jiamusi University(Natural Science Edition),2006,24(2):226-228.
Authors:YANG Hua  XU Dian-guo  LI Xiang-rong
Institution:Harbin Institutc of Technology, Harbin 150001, China
Abstract:The major factor that causes the damage of electronic ballast is the high temperature due to the heat generated by the circuit components.This paper introduced electronic ballasts and the circuit topology.Then,the testing results of the performance of several major components in different temperature were presented.Finally,related theoretical analysis and solutions were given.
Keywords:electronic ballast  heat generation  temperature rise
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