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| 纳米硅光能隙的Raman表现 | |
| 作者姓名： | 程光煦 |
| 作者单位： | 南京大学现代分析中心 固体微结构物理国家实验室(程光煦)，南京大学现代分析中心物理系 南京210008(何宇亮)，固体微结构物理国家实验室 南京210008(张维，张杏奎)，固体微结构物理国家实验室 南京210008(冯端) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 早期非晶硅振动谱的研究中提到非晶材料光学吸收能隙与Raman谱的关联.嗣后,Lannin又在非晶四族元素动力学和序结构的研究中明确地指出:光能隙(即Tauc隙)与其Raman谱中类横向光学模(TO-like mode)峰的半高半宽的变化有关,且与无序硅贝特点阵模型(Bethe lattice model)做了比较,发现无序随机网络中每个原子的sp~3轨道互作用起伏的减小致使带边变宽,进而引起键角分布函数g(θ)的变化,表现在Raman谱的位、形上.然而,g(θ)可以从对分布函数g(r)的近似得到: |
| 关 键 词： | 纳米硅 光能隙 散射谱 硅 纳米相 |
| 收稿时间： | 1993-05-27 |
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