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基于AFM单晶硅台阶线边缘粗糙度、顶表面和底表面粗糙度的测量
引用本文:李洪波,赵学增.基于AFM单晶硅台阶线边缘粗糙度、顶表面和底表面粗糙度的测量[J].南京理工大学学报(自然科学版),2007,31(4):478-481.
作者姓名:李洪波  赵学增
作者单位:哈尔滨工业大学,机电学院,黑龙江,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学,机电学院,黑龙江,哈尔滨,150001
摘    要:采用原子力显微镜以TOP-DOWN方式测量单晶硅刻线单侧形貌.提出以单次扫描线上5个最低测量值的平均值为高度参考点且各条扫描线参考高度在统计意义下相等,校正(原子力显微镜)AFM压电驱动器高度方向非线性.通过NIST高度算法和直方图方法相结合确定样本边缘表面、顶表面和底部表面范围.顶表面和底表面各扫描线的功率谱密度(PSD)、均方根值(RMS)基本一致.对于边缘粗糙度而言,RMS随测量高度增加而减小;PSD随高度增加主导频率范围略有降低但变化不明显.

关 键 词:纳米计量  原子力显微镜  压电驱动器  边缘粗糙度  顶表面和底表面粗糙度
文章编号:1005-9830(2007)04-0478-04
修稿时间:2005-12-23

Line Edge Roughness and Top-bottom-surface Roughness Measurement of Single-crystal-silicon Step Using AFM
LI Hong-bo,ZHAO Xue-zeng.Line Edge Roughness and Top-bottom-surface Roughness Measurement of Single-crystal-silicon Step Using AFM[J].Journal of Nanjing University of Science and Technology(Nature Science),2007,31(4):478-481.
Authors:LI Hong-bo  ZHAO Xue-zeng
Abstract:
Keywords:nanoscale measurement  atomic force microscope  piezoelectric actuator  line edgeroughness  top-bottom-surface roughness
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
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