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| C_3N_4基本性质的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 阮林伟 朱玉俊 裘灵光 卢运祥 |
| 作者单位： | 安徽大学化学化工学院;华东理工大学化学与分子工程学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(20971001) |
| 摘 要： | 通过第一性原理方法计算得到α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4、Pseudocubic-C3N4、Graphitic-C3N4的光学及电学性质.结果表明,α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4为间接带隙半导体,Pseudocubic-C3N4与Graphitic-C3N4为直接带隙半导体,它们的带隙依次减小,分别为3.886、3.273、3.023、2.592、1.260 eV.光学性质显示,C3N4的光吸收有2个吸收峰,而且都在紫外光区,α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4、Pseudocubic-C3N4对应的是σ的跃迁,Graphitic-C3N4对应的是σ跃迁和π跃迁.C3N4的光导率谱显示,C3N4具有较宽的光导率响应区间,且有较大的峰值,其中Pseudocubic-C3N4的峰值最大,说明它的光导性能最强. |
| 关 键 词： | CN 第一性原理 CASTEP |
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