| 硼/磷掺杂单壁碳纳米管电子结构的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 张娟,陈阿青,邵庆益. 硼/磷掺杂单壁碳纳米管电子结构的第一性原理计算[J]. 山西师范大学学报：自然科学版, 2011, 25(1) |
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| 作者姓名： | 张娟 陈阿青 邵庆益 |
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| 作者单位： | 广东省高等学校量子信息技术重点实验室,华南师范大学物理与电信工程学院,广东广州510006 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，福建省自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 利用第一性原理电子结构计算方法,基于密度函数理论(DFT),研究了硼(B)/磷(P)掺杂单壁碳纳米管.有无外电场时的总能量,Mayer键级,能带结构和态密度被计算.结果表明有电场时B/P掺杂单壁碳纳米管比无电场时更稳定.B/P掺杂单壁碳纳米管有特殊的能带结构,非常不同于B/N掺杂碳纳米管;由于硼/磷掺杂打破了单壁碳纳米管的对称结构,使得金属型碳纳米管被转换为半导体型.B/P掺杂单壁碳纳米管中的成键方式被详细研究.
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| 关 键 词： | 单壁碳纳米管 掺杂 电子结构 第一性原理 |
First-principles Calculation on Electronic Structures of Boron-phosphorus Doped Single-walled Carbon Nanotubes |
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| ZHANG Juan,CHEN A-qing,SHAO Qing-yi. First-principles Calculation on Electronic Structures of Boron-phosphorus Doped Single-walled Carbon Nanotubes[J]. Journal of Shanxi Teachers University, 2011, 25(1) |
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| Authors: | ZHANG Juan CHEN A-qing SHAO Qing-yi |
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